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IXFH18N65X2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 238-IXFH18N65X2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXFH18N65X2 |
Description | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 32 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 18 A (Tc) 290W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1,5mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1520 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 290W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 200mohms à 9A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | 11,65000 $ | Similaire |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 232 | SCT3120ALGC11-ND | 16,61000 $ | Similaire |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 289 | 497-9066-5-ND | 13,02000 $ | Similaire |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | 6,72000 $ | Similaire |
| TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK16N60WS1VF-ND | 9,57000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 300 | 7,23580 $ | 2 170,74 $ |
