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IXYX110N120A4
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IXFH18N65X2

Numéro de produit DigiKey
238-IXFH18N65X2-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFH18N65X2
Description
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 18 A (Tc) 290W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™, Ultra X2
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
200mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1520 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
290W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247 (IXTH)
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH18
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
3005,07717 $1 523,15 $
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.