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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FCH190N65F-F155 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FCH190N65F-F155-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FCH190N65F-F155 |
Description | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 30 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FCH190N65F-F155 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 2mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3225 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 10A, 10V |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | 270 | IPW60R165CPFKSA1-ND | 10,44000 $ | Direct |
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 162 | 448-IPW60R180C7XKSA1-ND | 8,30000 $ | Similaire |
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | 88 | IPW60R190E6FKSA1-ND | 8,16000 $ | Similaire |
| IXTH20N65X2 | IXYS | 111 | 238-IXTH20N65X2-ND | 13,91000 $ | Similaire |
| IXTH24N65X2 | IXYS | 326 | IXTH24N65X2-ND | 13,91000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 11,50000 $ | 11,50 $ |
| 10 | 7,78800 $ | 77,88 $ |
| 450 | 4,84364 $ | 2 179,64 $ |
| 900 | 4,81718 $ | 4 335,46 $ |
