TK125N60Z1,S1F
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TK20N60W5,S1VF

Numéro de produit DigiKey
TK20N60W5S1VF-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK20N60W5,S1VF
Description
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 20 A (Ta) 165W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK20N60W5,S1VF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
175mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1800 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
TK20N60
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 23
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
18,27000 $8,27 $
304,67400 $140,22 $
1203,88208 $465,85 $
5103,30133 $1 683,68 $
1 0203,26971 $3 335,10 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.