IXFA130N10T est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.
Substituts disponibles:

Direct

SQM120N10-09_GE3
Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 2,20984 $
Fiche technique

Direct

SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Siliconix
En stock: 3 887
Prix unitaire : 7,12000 $
Fiche technique

Similaire

BUK768R1-100E,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 7 389
Prix unitaire : 6,93000 $
Fiche technique

Similaire

BUK969R3-100E,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 1,82276 $
Fiche technique

Similaire

DMTH10H010LCTB-13
Diodes Incorporated
En stock: 745
Prix unitaire : 3,50000 $
Fiche technique

Similaire

IRFS4410PBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

IRFS4410TRLPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 7,06000 $
Fiche technique

Similaire

IRFS4410ZTRLPBF
Infineon Technologies
En stock: 612
Prix unitaire : 4,20000 $
Fiche technique

Similaire

RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
En stock: 600
Prix unitaire : 11,22000 $
Fiche technique

Similaire

SQM100N10-10_GE3
Vishay Siliconix
En stock: 1 381
Prix unitaire : 6,11000 $
Fiche technique

Similaire

STB100N10F7
STMicroelectronics
En stock: 879
Prix unitaire : 5,16000 $
Fiche technique

Similaire

STB120NF10T4
STMicroelectronics
En stock: 14 759
Prix unitaire : 8,36000 $
Fiche technique

Similaire

SUM110N10-09-E3
Vishay Siliconix
En stock: 1 493
Prix unitaire : 12,31000 $
Fiche technique

Similaire

SUM70090E-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 988
Prix unitaire : 3,56000 $
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
TO-263AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXFA130N10T

Numéro de produit DigiKey
IXFA130N10T-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFA130N10T
Description
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) Montage en surface TO-263AA (IXFA)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™, Trench
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
130 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
9,1mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5080 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263AA (IXFA)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXFA130
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Disponible sur commande
Vérifier le délai d'approvisionnement
Ce produit n'est pas maintenu en stock chez DigiKey. Le délai d'approvisionnement indiqué s'applique à l'expédition du fabricant à DigiKey. À réception du produit, DigiKey procédera à l'expédition pour satisfaire les commandes en cours.
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
3003,65367 $1 096,10 $
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.