Name: RSJ650N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ650N10TLTR-ND
Price: 11.22 CAD
Availability: InStock

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RSJ650N10TL
Numéro de produit DigiKey	RSJ650N10TLTR-ND - Bande et bobine RSJ650N10TLCT-ND - Bande coupée (CT) RSJ650N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RSJ650N10TL
Description	MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 65 A (Ta) 100W (Tc) Montage en surface LPTS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RSJ650N10TL Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	65 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,1mohms à 32,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10780 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LPTS
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	RSJ650