
SPP11N80C3XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPP11N80C3XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPP11N80C3XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 11 A (Tc) 156W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPP11N80C3XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 680µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 450mohms à 7,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 711 | IRF830APBF-ND | 6,14000 $ | Similaire |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 6,24000 $ | Similaire |
| STP10N60M2 | STMicroelectronics | 397 | 497-13970-5-ND | 3,37000 $ | Similaire |
| STP11NM80 | STMicroelectronics | 870 | 497-4369-5-ND | 11,46000 $ | Similaire |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1 903 | 497-13779-5-ND | 6,75000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,03000 $ | 7,03 $ |
| 50 | 3,54840 $ | 177,42 $ |
| 100 | 3,21080 $ | 321,08 $ |
| 500 | 2,61916 $ | 1 309,58 $ |
| 1 000 | 2,42910 $ | 2 429,10 $ |
| 2 000 | 2,26934 $ | 4 538,68 $ |
| 5 000 | 2,09662 $ | 10 483,10 $ |








