
SPP11N80C3XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPP11N80C3XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPP11N80C3XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 11 A (Tc) 156W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPP11N80C3XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 680µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 450mohms à 7,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 718 | IRF830APBF-ND | 4,77000 $ | Similaire |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 6,16000 $ | Similaire |
| STP10N60M2 | STMicroelectronics | 400 | 497-13970-5-ND | 3,33000 $ | Similaire |
| STP11NM80 | STMicroelectronics | 970 | 497-4369-5-ND | 11,32000 $ | Similaire |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 524 | 497-13779-5-ND | 6,67000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,94000 $ | 5,94 $ |
| 50 | 3,00040 $ | 150,02 $ |
| 100 | 2,71480 $ | 271,48 $ |
| 500 | 2,21454 $ | 1 107,27 $ |
| 1 000 | 2,05383 $ | 2 053,83 $ |
| 2 000 | 1,91875 $ | 3 837,50 $ |
| 5 000 | 1,81344 $ | 9 067,20 $ |








