SN7002NH6327XTSA1 est en rupture de stock et les commandes différées sont actuellement indisponibles.
Substituts disponibles:

Direct

BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
En stock: 83 159
Prix unitaire : 0,40000 $
Fiche technique

Direct

SN7002NH6327XTSA2
Infineon Technologies
En stock: 111
Prix unitaire : 0,39000 $
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SN7002NH6433XTMA1
Infineon Technologies
En stock: 62
Prix unitaire : 0,36000 $
Fiche technique

Similaire

2N7002
onsemi
En stock: 307 713
Prix unitaire : 0,88000 $
Fiche technique

Similaire

2N7002-7-F
Diodes Incorporated
En stock: 299 566
Prix unitaire : 0,27000 $
Fiche technique

Similaire

2N7002E-7-F
Diodes Incorporated
En stock: 2 977
Prix unitaire : 0,31000 $
Fiche technique

Similaire

2N7002K
onsemi
En stock: 148 672
Prix unitaire : 0,46000 $
Fiche technique

Similaire

2N7002K-7
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,28000 $
Fiche technique

Similaire

2N7002K-T1-E3
Vishay Siliconix
En stock: 3 258
Prix unitaire : 0,75000 $
Fiche technique

Similaire

2N7002K-T1-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 255 240
Prix unitaire : 0,75000 $
Fiche technique

Similaire

2N7002T
onsemi
En stock: 67
Prix unitaire : 0,66000 $
Fiche technique

Similaire

BS170FTA
Diodes Incorporated
En stock: 20 045
Prix unitaire : 1,61000 $
Fiche technique

Similaire

BS870-7-F
Diodes Incorporated
En stock: 6 456
Prix unitaire : 0,42000 $
Fiche technique

Similaire

BSS138AKAR
Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 0,42000 $
Fiche technique
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PG-SOT23
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SN7002NH6327XTSA1

Numéro de produit DigiKey
SN7002NH6327XTSA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
SN7002NH6327XTSA1
Description
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Montage en surface PG-SOT23
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
SIPMOS®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1,8V à 26µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
45 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-SOT23
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
SN7002N
Questions et réponses sur les produits

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