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IPW65R150CFDFKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPW65R150CFDFKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPW65R150CFDFKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW65R150CFDFKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 900µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2340 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 195,3W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 9,3A, 10V |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 210 | 448-IPW65R150CFDFKSA2-ND | 7,79000 $ | Équivalent paramétrique |
| IXFH36N60P | IXYS | 560 | IXFH36N60P-ND | 22,02000 $ | Similaire |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | 4,28638 $ | Similaire |
| STW26N60M2 | STMicroelectronics | 309 | STW26N60M2-ND | 6,81000 $ | Similaire |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | 6,64000 $ | Similaire |
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