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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHG24N65E-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG24N65E-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG24N65E-E3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 122 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2740 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 145mohms à 12A, 10V | Numéro de produit de base |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| APT43M60B2 | Microchip Technology | 0 | APT43M60B2-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | 14,15000 $ | Similaire |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | 12,67000 $ | Similaire |
| FCH165N60E | onsemi | 93 | FCH165N60EOS-ND | 11,23000 $ | Similaire |
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW60R125CPFKSA1-ND | 5,01950 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 500 | 5,21778 $ | 2 608,89 $ |
