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IHW15N120R3FKSA1
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IPW60R199CPFKSA1

Numéro de produit DigiKey
IPW60R199CPFKSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPW60R199CPFKSA1
Description
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPW60R199CPFKSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
199mohms à 9,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 660µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1520 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
139W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO247-3-1
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
IPW60R199
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
2403,02029 $724,87 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.