IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

Canal N 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP65R190C7FKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP65R190C7FKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP65R190C7FKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP65R190C7FKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 290µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1150 pF @ 400 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 72W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPP65R190
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 5,7A, 10V

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Classifications environnementales et d'exportation

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Substituts (11)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPP65R225C7XKSA1	Infineon Technologies	0	IPP65R225C7XKSA1-ND	5,11000 $	Recommandation fabricant
AOT27S60L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3 057	785-1252-5-ND	8,73000 $	Similaire
FCP190N60E	onsemi	1 432	FCP190N60EOS-ND	7,82000 $	Similaire
FCP190N65S3R0	onsemi	266	488-FCP190N65S3R0-ND	4,30000 $	Similaire
IXFP22N65X2	IXYS	3 978	238-IXFP22N65X2-ND	11,66000 $	Similaire

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,61000 $	5,61 $

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