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IPP60R099P6XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP60R099P6XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP60R099P6XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 25 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP60R099P6XKSA1 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,21mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3330 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 14,5A, 10V |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP32N65X | IXYS | 0 | IXTP32N65X-ND | 8,09640 $ | Similaire |
| R6027YNX3C16 | Rohm Semiconductor | 960 | 846-R6027YNX3C16-ND | 10,44000 $ | Similaire |
| R6035VNX3C16 | Rohm Semiconductor | 953 | 846-R6035VNX3C16-ND | 11,54000 $ | Similaire |
| R6038YNX3C16 | Rohm Semiconductor | 990 | 846-R6038YNX3C16-ND | 11,66000 $ | Similaire |
| SIHP28N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP28N65E-GE3-ND | 4,54896 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 9,49000 $ | 9,49 $ |
| 50 | 4,98980 $ | 249,49 $ |
| 100 | 4,55590 $ | 455,59 $ |
| 500 | 3,79582 $ | 1 897,91 $ |
| 1 000 | 3,55185 $ | 3 551,85 $ |
| 2 000 | 3,40492 $ | 6 809,84 $ |
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