IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPP530N15N3GXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Infineon Technologies

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IPP530N15N3GXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP530N15N3GXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP530N15N3GXKSA1
Description	MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 21 A (Tc) 68W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP530N15N3GXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 35µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 887 pF @ 75 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 68W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Numéro de produit de base IPP530
Rds On (max.) à Id, Vgs 53mohms à 18A, 10V