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IPP12CN10LGXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP12CN10LGXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP12CN10LGXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 69 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP12CN10LGXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 83µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 58 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5600 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 69A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | 977 | 448-IPP129N10NF2SAKMA1-ND | 3,17000 $ | Recommandation fabricant |
| CSD19534KCS | Texas Instruments | 1 128 | 296-38676-5-ND | 3,36000 $ | Similaire |
| FDP100N10 | onsemi | 467 | FDP100N10-ND | 6,88000 $ | Similaire |
| FDP120N10 | onsemi | 775 | FDP120N10-ND | 5,08000 $ | Similaire |
| FDP150N10 | onsemi | 0 | FDP150N10-ND | 5,25000 $ | Similaire |















