IPB65R150CFDATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Infineon Technologies
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En stock: 1 060
Prix unitaire : 7,89000 $
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Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R150CFDATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPB65R150CFDATMA1
Description
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPB65R150CFDATMA1 Modèles
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 900µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2340 pF @ 100 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
195,3W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
150mohms à 9,3A, 10V
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Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPB65R150CFDATMA2Infineon Technologies1 047448-IPB65R150CFDATMA2CT-ND8,27000 $Équivalent paramétrique
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.800785-1539-1-ND8,70000 $Similaire
FCB110N65Fonsemi651FCB110N65FCT-ND12,81000 $Similaire
SIHB22N60AE-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60AE-GE3-ND3,29432 $Similaire
SIHB22N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60E-GE3-ND7,76000 $Similaire
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Obsolète
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