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SIHB22N60AE-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB22N60AE-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB22N60AE-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHB22N60AE-GE3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1451 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 179W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1 795 | FCB20N60FTMCT-ND | 10,81000 $ | Similaire |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1 095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | 6,53000 $ | Similaire |
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 4 812 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | 4,81000 $ | Similaire |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | 2 975 | IPB60R199CPATMA1CT-ND | 6,45000 $ | Similaire |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 12,04000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 3,29432 $ | 3 294,32 $ |
