IMZC120R022M2HXKSA1
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IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMZC120R022M2HXKSA1
Description
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
26 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMZC120R022M2HXKSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
22mohms à 32A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 10,1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
71 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+23V, -7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2330 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
329W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO247-4-17
Boîtier
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Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
122,95000 $22,95 $
3014,12767 $423,83 $
12012,51342 $1 501,61 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.