Canal N 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
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Canal N 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R017M2HXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMZC120R017M2HXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMZC120R017M2HXKSA1
Description
SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
69 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMZC120R017M2HXKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Category
Rds On (max.) à Id, Vgs
17mohms à 40A, 18V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 12,7mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
89 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+23V, -7V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2910 pF @ 800 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
382W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO247-4-17
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 739
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
130,96000 $30,96 $
3019,34733 $580,42 $
12016,80633 $2 016,76 $
51016,06318 $8 192,22 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.