Name: DMTH10H010LCTB-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H010LCTB-13TR-ND
Price: 3.5 CAD
Availability: InStock

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DMTH10H010LCTB-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH10H010LCTB-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH10H010LCTB-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH10H010LCTB-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH10H010LCTB-13
Description	MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 108 A (Tc) 2,4W (Ta), 166W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMTH10H010LCTB-13 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	108 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,5mohms à 13A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	53.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2592 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,4W (Ta), 166W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	DMTH10