Diodes Incorporated FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
DMN65D8L-7 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	38 271 En stock	1 : 0,25000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04780 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	310mA (Ta)	5V, 10V	3ohms à 115mA, 10V	2V à 250µA	0.87 nC @ 10 V	±20V	22 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	11 145 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05735 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	84 586 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06382 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	3 343 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06506 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohms à 250mA, 10V	1,5V à 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	127 272 En stock	1 : 0,33000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06212 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	96 936 En stock	1 : 0,35000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06602 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	83 602 En stock	1 : 0,35000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07092 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	170mA (Ta)	10V	6ohms à 170mA, 10V	2V à 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138K-13 MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	170 063 En stock	1 : 0,39000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,06710 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	310mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	0.95 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	69 415 En stock	1 : 0,39000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07935 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mohms à 350mA, 4,5V	1V à 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
BSS84W-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Diodes Incorporated	52 041 En stock	1 : 0,40000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08402 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN62D0U-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Diodes Incorporated	2 706 En stock	1 : 0,40000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08229 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	380mA (Ta)	1,8V, 4,5V	2ohms à 100mA, 4,5V	1V à 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1012TQ-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 Diodes Incorporated	645 367 En stock	1 : 0,42000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08784 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	630mA (Ta)	1,8V, 4,5V	400mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0.74 nC @ 4.5 V	±6V	60.67 pF @ 16 V	-	280mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	16 104 En stock	1 : 0,48000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10057 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohms à 2,8A, 4,5V	1,2V à 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	514 362 En stock	1 : 0,49000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10201 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	600mA (Ta)	1,8V, 4,5V	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UK-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Diodes Incorporated	57 100 En stock	1 : 0,52000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11055 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mohms à 3,6A, 4,5V	1V à 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	14 976 En stock	1 : 0,52000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10880 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	750mA (Ta)	1,8V, 4,5V	550mohms à 600mA, 4,5V	900mV à 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±12V	36 pF @ 16 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
BSS123W-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Diodes Incorporated	29 859 En stock	1 : 0,53000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11179 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	170mA (Ta)	4,5V, 10V	6ohms à 170mA, 10V	2V à 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN2075U-7 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	27 652 En stock	1 : 0,53000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11451 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4,2 A (Ta)	2,5V, 4,5V	38mohms à 3,6A, 4,5V	1V à 250µA	7 nC @ 4.5 V	±8V	594.3 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS127S-7 MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Diodes Incorporated	20 504 En stock	1 : 0,53000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11154 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	50mA (Ta)	5V, 10V	160ohms à 16mA, 10V	4,5V à 250µA	1.08 nC @ 10 V	±20V	21.8 pF @ 25 V	-	610mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3420U-7 MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3 Diodes Incorporated	41 247 En stock	1 : 0,56000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12065 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	5,47 A (Ta)	1,8V, 10V	29mohms à 6A, 10V	1,2V à 250µA	5.4 nC @ 4.5 V	±12V	434.7 pF @ 10 V	-	740mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3406L-7 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Diodes Incorporated	36 005 En stock	1 : 0,56000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11968 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,6 A (Ta)	4,5V, 10V	50mohms à 3,6A, 10V	2V à 250µA	11.2 nC @ 10 V	±20V	495 pF @ 15 V	-	770mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3406L-13 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Diodes Incorporated	6 394 En stock	1 : 0,56000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,10072 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,6 A (Ta)	4,5V, 10V	50mohms à 3,6A, 10V	2V à 250µA	11.2 nC @ 10 V	±20V	495 pF @ 15 V	-	770mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D1LFB-7B MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN Diodes Incorporated	77 491 En stock	1 : 0,58000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,10431 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	1,5V, 4V	2ohms à 100mA, 4V	1V à 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±20V	64 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	1 113 En stock	1 : 0,59000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12721 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mohms à 4A, 4,5V	1V à 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	4 156 En stock	1 : 0,61000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12914 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 10V	72mohms à 4,2A, 10V	1,3V à 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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