Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 3.35 CAD
Availability: InStock

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DMT12H007LPS-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT12H007LPS-13
Description	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 90 A (Tc) 2,9W Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	120 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	90 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,8mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3224 pF @ 60 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,9W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	DMT12