Name: DMT10H009SPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009SPS-13TR-ND
Price: 2.96 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMT10H009SPS-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMT10H009SPS-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMT10H009SPS-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMT10H009SPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT10H009SPS-13
Description	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 14 A (Ta), 80 A (Tc) 1,3W (Ta) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2085 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,3W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Ta), 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,5mohms à 20 A, 10V	Numéro de produit de base DMT10