Équivalent paramétrique



DMT10H003SPSWQ-13 | |
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Numéro de produit DigiKey | 31-DMT10H003SPSWQ-13TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMT10H003SPSWQ-13 |
Description | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 152 A (Tc) 2,2W (Ta), 139W (Tc) Montage en surface Accelerometer, 3 Axis, Impact |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5542 pF @ 50 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 2,2W (Ta), 139W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Boîtier fournisseur Accelerometer, 3 Axis, Impact |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3mohms à 30A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H003SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH10H003SPSWQ-13TR-ND | 2,01976 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,87864 $ | 4 696,60 $ |


