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DMN6013LFG-13 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | DMN6013LFG-13-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMN6013LFG-13 |
Description | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55.4 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2577 pF @ 30 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur POWERDI3333-8 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 13mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN6013LFG-7DICT-ND | 1,89000 $ | Équivalent paramétrique |
| DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN6013LFGQ-13-ND | 0,61807 $ | Équivalent paramétrique |
| DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | 433 | DMN6013LFGQ-7DICT-ND | 2,34000 $ | Équivalent paramétrique |
| TPH7R006PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 19 267 | TPH7R006PLL1QCT-ND | 2,02000 $ | Similaire |
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,47814 $ | 1 434,42 $ |
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