Name: DMN6013LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFGQ-7DITR-ND
Price: 2.34 CAD
Availability: InStock

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DMN6013LFGQ-7
Numéro de produit DigiKey	DMN6013LFGQ-7DITR-ND - Bande et bobine DMN6013LFGQ-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN6013LFGQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN6013LFGQ-7
Description	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55.4 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2577 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,3 A (Ta), 45 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur POWERDI3333-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 13mohms à 10A, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA	Numéro de produit de base DMN6013