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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
DMN3032L-13 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 31-DMN3032L-13TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMN3032L-13 |
Description | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 5,4 A (Ta) 800mW Montage en surface SOT-23-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10.1 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 481 pF @ 15 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 800mW |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur SOT-23-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 31mohms à 5,8A, 10V |
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Ressources supplémentaires
Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3032L-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032L-7TR-ND | 0,10404 $ | Équivalent paramétrique |
| DMN3032LQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032LQ-13TR-ND | 0,10706 $ | Équivalent paramétrique |
| DMN3032LQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032LQ-7TR-ND | 0,15655 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10 000 | 0,09015 $ | 901,50 $ |
| 20 000 | 0,08238 $ | 1 647,60 $ |
| 30 000 | 0,08210 $ | 2 463,00 $ |
