Name: DMN13H750S-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN13H750S-7DITR-ND
Price: 1.25 CAD
Availability: InStock

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DMN13H750S-7
Numéro de produit DigiKey	DMN13H750S-7DITR-ND - Bande et bobine DMN13H750S-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN13H750S-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN13H750S-7
Description	MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 130 V 1 A (Ta) 770mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	130 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	750mohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	231 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	770mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	DMN13