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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
AOT10N60L | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | AOT10N60L-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOT10N60L |
Description | MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 10 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 750mohms à 5A, 10V | Numéro de produit de base |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP650N80Z | onsemi | 0 | FCP650N80Z-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| FCP850N80Z | onsemi | 571 | FCP850N80Z-ND | 5,73000 $ | Similaire |
| FDP10N60NZ | onsemi | 0 | FDP10N60NZ-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| FDP12N60NZ | onsemi | 0 | FDP12N60NZOS-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | 4 633 | IRFB9N60APBF-ND | 5,91000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 0,76616 $ | 766,16 $ |
