VideoLibrary

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

ROHM SiC MOSFETs have been adopted in Midnite Solar’s high power charge controllers, inverters, and state-of-the-art inverter/charger systems utilize that demand higher efficiency operation, a robust design, and long operational life.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

ImageRéférence fabricantDescriptionConfiguration de diodeTechnologiesTension - CC inverse (Vr) (max.)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-2471 paire de cathodes communesSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V2 - Immédiatement$15.63Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULECarbure de silicium (SiC)2 canaux N (double)-0 - Immédiatement$475.07Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULECarbure de silicium (SiC)2 canaux N (double)-13 - Immédiatement$839.52Afficher les détails
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V12A933 - Immédiatement$9.97Afficher les détails
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V5A0 - Immédiatement$9.78Afficher les détails
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V2,15A643 - Immédiatement$4.43Afficher les détails
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V10A314 - Immédiatement$14.01Afficher les détails
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V20A995 - Immédiatement$21.67Afficher les détails
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N1 paire de cathodes communesSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V0 - Immédiatement$23.79Afficher les détails
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N1 paire de cathodes communesSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V545 - Immédiatement$17.84Afficher les détails
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-2471 paire de cathodes communesSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V450 - Immédiatement$16.50Afficher les détails
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N1 paire de cathodes communesSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V310 - Immédiatement$22.45Afficher les détails
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N1 paire de cathodes communesSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V279 - Immédiatement$15.14Afficher les détails
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N1 paire de cathodes communesSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V199 - Immédiatement$15.50Afficher les détails
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N1 paire de cathodes communesSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V150 - Immédiatement$36.59Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULECarbure de silicium (SiC)2 canaux N (demi-pont)-8 - Immédiatement$1,058.90Afficher les détails
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V8A886 - Immédiatement$4.32Afficher les détails
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V10A0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEMOSFET-134 A7 - Immédiatement$444.98Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULECarbure de silicium (SiC)2 canaux N (demi-pont)-6 - Immédiatement$2,044.07Afficher les détails

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Date de publication : 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Date de publication : 2023-06-22

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Date de publication : 2023-02-06

Related Product Highlight

MOSFET SCT en carbure de silicium de 4e génération Les MOSFET en carbure de silicium de 4e génération de ROHM sont conçus pour offrir un rendement et des performances inégalées dans les applications exigeantes.
MOSFET SiC de 4ème génération Les MOSFET SiC de 4ème génération de ROHM se caractérisent par de faibles pertes de commutation ainsi que la prise en charge d'une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue aux économies d'énergie du dispositif.
Puce CNA BD3430 – Série MUS-ICT™ La série MUS-ICT de ROHM contient la puce CNA BD3430, un circuit intégré audio de haute qualité.

Related Articles and Blogs

Comment réduire les pertes, améliorer le rendement et étendre la plage de températures dans les applications haute puissance Les concepteurs peuvent utiliser des MOSFET SiC de 4e génération pour améliorer considérablement le rendement, réduire les coûts et diminuer la taille des circuits de commande haute tension et haute puissance.
Les semi-conducteurs à large bande interdite redéfinissent les transports L'ensemble du secteur des transports subit une transformation radicale avec des solutions pour les voitures électriques et hybrides et des transports en commun plus propres.
Semi-conducteurs à large bande interdite dans les applications aérospatiales et satellitaires Les semi-conducteurs à large bande interdite offrent plusieurs avantages dans la conversion de puissance, notamment l'augmentation de la densité de puissance et du rendement, et la réduction de la taille et du poids des systèmes.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.