Name: BSM180D12P3C007
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P3C007-ND
Price: 867.46 CAD
Availability: InStock

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BSM180D12P3C007
Numéro de produit DigiKey	BSM180D12P3C007-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM180D12P3C007
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 180 A (Tc) 880W Montage en surface Module
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSM180D12P3C007 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 50mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 900pF à 10V
Conditionnement En vrac	Puissance - Max. 880W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies Carbure de silicium (SiC)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier Module
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)	Boîtier fournisseur Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)	Numéro de produit de base BSM180