MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 300 A (Tc) 1260W (Tc) Montage sur châssis Module
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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 300 A (Tc) 1260W (Tc) Montage sur châssis Module
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM300D12P3E005

Numéro de produit DigiKey
846-BSM300D12P3E005-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSM300D12P3E005
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 300 A (Tc) 1260W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 91mA
Fabricant
Rohm Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
14000pF à 10V
Conditionnement
En vrac
Puissance - Max.
1260W (Tc)
Statut du composant
Obsolète
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Type de montage
Montage sur châssis
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Boîtier
Module
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Boîtier fournisseur
Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
300 A (Tc)
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
BSM300D12P4G101Rohm Semiconductor4846-BSM300D12P4G101-ND989,07000 $Recommandation fabricant
En stock: 6
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