
C3M0120065J | |
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Numéro de produit DigiKey | 1697-C3M0120065J-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | C3M0120065J |
Description | 650V 120M SIC MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 21 A (Tc) 86W (Tc) Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | C3M0120065J Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 157mohms à 6,76A, 15V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 1,86mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 15 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +19V, -8V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 640 pF @ 400 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 86W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263-7 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V | Boîtier |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| C3M0060065J | Wolfspeed, Inc. | 1 873 | 1697-C3M0060065J-ND | 14,85000 $ | Recommandation fabricant |
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | 784 | 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND | 10,58000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 14,26000 $ | 14,26 $ |
| 10 | 11,08200 $ | 110,82 $ |
| 50 | 9,81020 $ | 490,51 $ |
| 100 | 9,41660 $ | 941,66 $ |
| 250 | 9,00096 $ | 2 250,24 $ |
| 500 | 8,75040 $ | 4 375,20 $ |
| 1 000 | 8,54425 $ | 8 544,25 $ |

