NXPSC126506Q est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Équivalent paramétrique


Toshiba Semiconductor and Storage
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Prix unitaire : 5,38000 $
TO-220-2
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TO-220-2
TO-220-2

NXPSC126506Q

Numéro de produit DigiKey
1740-NXPSC126506Q-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NXPSC126506Q
Description
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 12A Trou traversant TO-220AC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 12 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
80 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
380pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction
175°C (maxi)
Numéro de produit de base
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Obsolète
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