Trou traversant Diodes simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
Courant - Moyen redressé (Io)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
Vitesse
Temps de recouvrement inverse (trr)
Courant - Fuite inverse à Vr
Capacité à Vr, F
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
Température de fonctionnement - Jonction
DO-35
1N4148TR
DIODE STANDARD 100V 200MA DO35
onsemi
2 059 675
En stock
1 : 0,14000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,01825 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
100 V
200mA
1 V @ 10 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF à 0V, 1MHz
-
-
Trou traversant
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-35
-55°C ~ 175°C
DO-35
1N4148
DIODE STANDARD 100V 200MA DO35
onsemi
355 072
En stock
1 : 0,14000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
100 V
200mA
1 V @ 10 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF à 0V, 1MHz
-
-
Trou traversant
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-35
-55°C ~ 175°C
do-41
1N4007
DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC
Diotec Semiconductor
342 302
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,03663 $
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Standard
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
1.5 µs
5 µA @ 1000 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AC, DO-41, Axial
DO-204AC (DO-41)
-50°C ~ 175°C
do-41
1N4004
DIODE STANDARD 400V 1A DO204AC
Diotec Semiconductor
198 703
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,03663 $
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Standard
400 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
1.5 µs
5 µA @ 400 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AC, DO-41, Axial
DO-204AC (DO-41)
-50°C ~ 175°C
do-41
1N4001
DIODE STANDARD 50V 1A DO204AC
Diotec Semiconductor
31 476
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,03663 $
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Standard
50 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
1.5 µs
5 µA @ 50 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AC, DO-41, Axial
DO-204AC (DO-41)
-50°C ~ 175°C
1N5818G
1N4007RLG
DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL
onsemi
837 090
En stock
505 000
Usine
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,05073 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 1000 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
Axial
-65°C ~ 175°C
1N5818G
1N4007G
DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL
onsemi
128 762
En stock
1 : 0,30000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 1000 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
Axial
-65°C ~ 175°C
P4KE120A-HF
1N4007-G
DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
Comchip Technology
65 069
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,05498 $
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Standard
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
5 µA @ 1000 V
15pF à 4V, 1MHz
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-41
-55°C ~ 150°C
DO-41
1N4007-TP
DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
MCC (Micro Commercial Components)
394 009
En stock
Ce produit a une limite d'achat maximum
1 : 0,32000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,08107 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
2 µs
5 µA @ 1000 V
15pF à 4V, 1MHz
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-41
-55°C ~ 150°C
1N5818G
1N4004RLG
DIODE STANDARD 400V 1A AXIAL
onsemi
198 449
En stock
1 : 0,32000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,05372 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
400 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 400 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
Axial
-65°C ~ 175°C
1N5818G
1N4001RLG
DIODE STANDARD 50V 1A AXIAL
onsemi
32 769
En stock
1 : 0,38000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,06557 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
50 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 50 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
Axial
-65°C ~ 175°C
do-201
1N5408
DIODE STANDARD 1000V 3A DO201
Diotec Semiconductor
52 768
En stock
1 : 0,51000 $
Bande coupée (CT)
1 700 : 0,11525 $
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Standard
1000 V
3A
1.2 V @ 3 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
1.5 µs
5 µA @ 1000 V
-
-
-
Trou traversant
DO-201AA, DO-27, Axial
DO-201
-50°C ~ 175°C
1N4728A
UF4007
DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
onsemi
38 780
En stock
1 : 0,72000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,13603 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
1000 V
1A
1.7 V @ 1 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
75 ns
10 µA @ 1000 V
17pF à 4V, 1MHz
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-41
-65°C ~ 150°C
MUR4100EG
1N5408G
DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL
onsemi
60 306
En stock
10 000
Usine
1 : 0,77000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1000 V
3A
1 V @ 3 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 1000 V
-
-
-
Trou traversant
DO-201AA, DO-27, Axial
Axial
-65°C ~ 150°C
MUR4100EG
1N5408RLG
DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL
onsemi
148 613
En stock
1 : 0,78000 $
Bande coupée (CT)
1 200 : 0,18212 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
1000 V
3A
1 V @ 3 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 1000 V
-
-
-
Trou traversant
DO-201AA, DO-27, Axial
Axial
-65°C ~ 150°C
91 490
En stock
1 : 0,81000 $
Bande coupée (CT)
5 500 : 0,16394 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
5 µA @ 1000 V
15pF à 4V, 1MHz
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-204AL (DO-41)
-50°C ~ 150°C
31-DO-201AD
1N5408G-T
DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Diodes Incorporated
417 421
En stock
1 : 0,85000 $
Bande coupée (CT)
1 200 : 0,20356 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
1000 V
3A
1.1 V @ 3 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
2 µs
5 µA @ 1000 V
40pF à 4V, 1MHz
-
-
Trou traversant
DO-201AD, Axial
DO-201AD
-65°C ~ 150°C
37 042
En stock
1 : 0,85000 $
Bande coupée (CT)
5 500 : 0,17537 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
400 V
1A
1 V @ 1 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
50 ns
10 µA @ 400 V
17pF à 4V, 1MHz
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-204AL (DO-41)
-55°C ~ 150°C
DO-204AH, DO-35, Axial
JAN1N4148-1
DIODE STANDARD 75V 200MA DO204AH
Microchip Technology
11 343
En stock
1 : 0,90000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
75 V
200mA
1.2 V @ 100 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
20 ns
500 nA @ 75 V
4pF à 0V, 1MHz
Militaire
MIL-PRF-19500/116
Trou traversant
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-204AH (DO-35)
-65°C ~ 175°C
43 076
En stock
1 : 0,97000 $
Bande coupée (CT)
5 500 : 0,20361 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Schottky
40 V
2A
550 mV @ 2 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500 µA @ 40 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-204AL (DO-41)
-65°C ~ 125°C
MUR4100EG
1N5401RLG
DIODE STANDARD 100V 3A AXIAL
onsemi
4 720
En stock
1 : 0,98000 $
Bande coupée (CT)
1 200 : 0,23583 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Standard
100 V
3A
1 V @ 3 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 100 V
-
-
-
Trou traversant
DO-201AA, DO-27, Axial
Axial
-65°C ~ 150°C
DO-204AH, DO-35, Axial
1N4148-1
DIODE STANDARD 75V 200MA DO204AH
Microchip Technology
3 252
En stock
1 : 1,07000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
75 V
200mA
1.2 V @ 100 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
20 ns
500 nA @ 75 V
-
-
-
Trou traversant
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-204AH (DO-35)
-65°C ~ 175°C
DO-204AH, DO-35, Axial
JANTX1N4148-1
DIODE STANDARD 75V 200MA DO204AH
Microchip Technology
10 632
En stock
1 : 1,16000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
75 V
200mA
1.2 V @ 100 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
20 ns
500 nA @ 75 V
4pF à 0V, 1MHz
Militaire
MIL-PRF-19500/116
Trou traversant
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-204AH (DO-35)
-65°C ~ 175°C
53 230
En stock
1 : 1,20000 $
Bande coupée (CT)
500 : 0,36346 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Date de dernière disponibilité
Standard
1000 V
6A
950 mV @ 6 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 1000 V
150pF à 4V, 1MHz
-
-
Trou traversant
R-6, Axial
R-6
-55°C ~ 125°C
12 921
En stock
1 : 1,20000 $
Bande coupée (CT)
500 : 0,50082 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Date de dernière disponibilité
Standard
400 V
6A
950 mV @ 6 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 400 V
150pF à 4V, 1MHz
-
-
Trou traversant
R-6, Axial
R-6
-55°C ~ 125°C
Affichage de
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Types de diodes de redressement

    Diodes de redressement standard
  • Diodes standard (jonction PN en silicium) Les diodes standard sont le type de diode de redressement le plus basique, et elles sont fabriquées en silicium avec une jonction PN. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs CA/CC, le redressement de puissance et la protection générale des circuits. Ces diodes ont généralement une chute de tension directe d'environ 0,7 V et sont mieux adaptées à la commutation basse fréquence. Leur temps de recouvrement inverse (la rapidité avec laquelle elles cessent de conduire lorsqu'elles sont éteintes) est relativement lent, ce qui limite leur utilisation dans les applications haute vitesse. Elles présentent également un faible courant de fuite inverse, ce qui les rend fiables pour les opérations en régime permanent.

  • Diodes Schottky (SBD)
    Les diodes Schottky (SBD) utilisent une jonction métal-semiconducteur au lieu d'une jonction PN traditionnelle, ce qui entraîne des vitesses de commutation plus rapides et des chutes de tension directe plus faibles, souvent comprises entre 0,2 V et 0,4 V. Cela en fait un choix parfait pour les convertisseurs CC/CC, les alimentations à haut rendement et les circuits où il est essentiel de minimiser les pertes de puissance. Cependant, l’un des inconvénients des SBD est leur courant de fuite inverse plus élevé, en particulier à hautes températures, ce qui peut être un problème dans les dispositifs de précision ou alimentés par batterie.

  • Redresseurs à super barrière (SBR)
    Les redresseurs à super barrière (SBR) associent les meilleures caractéristiques des diodes standard et des diodes Schottky. Ils offrent une faible chute de tension directe comme les SBD, mais avec un courant de fuite inverse nettement inférieur et une meilleure gestion de la tension inverse. Les SBR sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance à découpage, aux adaptateurs et à l'électronique automobile, où le rendement énergétique et la stabilité thermique sont importantes. Ils constituent souvent un meilleur choix que les diodes Schottky lorsque l'application implique des températures ambiantes plus élevées ou des transitoires de tension plus importants.

  • Diodes avalanche
    Les diodes avalanche sont conçues pour fonctionner de manière fiable en mode de claquage inverse, où elles conduisent le courant en toute sécurité une fois qu'un seuil de tension inverse spécifique est dépassé. Contrairement aux diodes standard qui peuvent être endommagées par une panne, les diodes à avalanche sont conçues pour gérer cette condition de manière répétée et prévisible.
    • Dans le redressement à commutation rapide, les diodes avalanche sont parfois préférées aux diodes PN standard en raison de leur meilleur comportement de recouvrement inverse, ce qui réduit les pertes de commutation et améliore le rendement global du convertisseur. Leur capacité à résister à de hautes transitoires de tension inverse sans dégradation les rend particulièrement adaptées aux circuits d'amortissement, aux convertisseurs indirects et aux topologies à commutation dure.

  • Diodes en carbure de silicium (SiC)
    Les diodes SiC sont fabriquées à partir de carbure de silicium, un matériau à large bande interdite qui leur permet de gérer des tensions très élevées (600 V et plus) et des températures extrêmes (> 150°C). Elles sont idéales pour les convertisseurs industriels, les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs, en particulier dans les circuits nécessitant une commutation rapide et un temps de recouvrement inverse nul. Bien que plus chères que les diodes à base de silicium, leur durabilité et leur rendement à des tensions et fréquences élevées en font souvent le meilleur choix à long terme dans les applications exigeantes.
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