Name: TRS12E65F,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TRS12E65FS1Q-ND
Price: 5.38 CAD
Availability: OutOfStock

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TRS12E65F,S1Q
Numéro de produit DigiKey	TRS12E65FS1Q-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TRS12E65F,S1Q
Description	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 12A Trou traversant TO-220-2L
Modèles EDA/CAO	TRS12E65F,S1Q Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.7 V @ 12 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	90 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	65pF à 650V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-220-2
Boîtier fournisseur	TO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction	175°C (maxi)
Numéro de produit de base	TRS12E65

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,38000 $	5,38 $
50	2,72120 $	136,06 $
100	2,46370 $	246,37 $
500	2,01258 $	1 006,29 $
1 000	1,86763 $	1 867,63 $
2 000	1,82955 $	3 659,10 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.