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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQS850EN-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQS850EN-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQS850EN-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQS850EN-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQS850EN-T1_GE3 |
Description | MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Afficher les attributs vides
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2021 pF @ 30 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 33W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 21,5mohms à 6,1A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 4 042
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,73000 $ | 2,73 $ |
| 10 | 1,72600 $ | 17,26 $ |
| 100 | 1,15330 $ | 115,33 $ |
| 500 | 0,90768 $ | 453,84 $ |
| 1 000 | 0,82865 $ | 828,65 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,72831 $ | 2 184,93 $ |
| 6 000 | 0,67781 $ | 4 066,86 $ |
| 9 000 | 0,65210 $ | 5 868,90 $ |
| 15 000 | 0,62321 $ | 9 348,15 $ |
| 21 000 | 0,61860 $ | 12 990,60 $ |
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