SQM120N03-1M5L_GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

SQM120N03-1M5L_GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Vishay Siliconix

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SQM120N03-1M5L_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQM120N03-1M5L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQM120N03-1M5L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQM120N03-1M5L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQM120N03-1M5L_GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 270 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15605 pF @ 15 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base SQM120
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SQJ128ELP-T1_GE3	Vishay Siliconix	8 958	742-SQJ128ELP-T1_GE3CT-ND	3,88000 $	Recommandation fabricant
NP110N03PUG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	0	NP110N03PUG-E1-AY-ND	4,25960 $	Similaire
PSMN1R5-30BLEJ	Nexperia USA Inc.	0	1727-1101-1-ND	8,13000 $	Similaire

Obsolète

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SQM120N03-1M5L_GE3