
SQJQ910EL-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJQ910EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJQ910EL-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 70 A (Tc) 187W Montage en surface powerPAK® 8 x 8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJQ910EL-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 58nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2832pF à 50V |
Série | Puissance - Max. 187W |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier powerPAK® 8 x 8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 70 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® 8 x 8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,6mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,56000 $ | 5,56 $ |
| 10 | 3,62100 $ | 36,21 $ |
| 100 | 2,51930 $ | 251,93 $ |
| 500 | 2,04868 $ | 1 024,34 $ |
| 1 000 | 2,02431 $ | 2 024,31 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 1,77039 $ | 3 540,78 $ |
| 4 000 | 1,66359 $ | 6 654,36 $ |
| 6 000 | 1,65385 $ | 9 923,10 $ |





