Name: IAUCN10S5L094DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND
Price: 4.41 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUCN10S5L094DATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN10S5L094DATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN10S5L094DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN10S5L094DATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 66A (Tj) 96W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-60
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUCN10S5L094DATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	66A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,4mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 35µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2180pF à 50V
Puissance - Max.	96W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-60