Name: DMT10H017LPD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H017LPD-13TR-ND
Price: 3.37 CAD
Availability: InStock

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DMT10H017LPD-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMT10H017LPD-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMT10H017LPD-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMT10H017LPD-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT10H017LPD-13
Description	MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 54,7A (Tc) 2,2W (Ta), 78W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	54,7A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	17,4mohms à 17A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28,6nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1986pF à 50V
Puissance - Max.	2,2W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8
Numéro de produit de base	DMT10