
SQJ418EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQJ418EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ418EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ418EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ418EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 48 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ418EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 68W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 14mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJ418EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | 2 935 | 742-SQJ418EP-T1_BE3CT-ND | 2,83000 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,83000 $ | 2,83 $ |
| 10 | 1,79900 $ | 17,99 $ |
| 100 | 1,20570 $ | 120,57 $ |
| 500 | 0,95112 $ | 475,56 $ |
| 1 000 | 0,86922 $ | 869,22 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,76523 $ | 2 295,69 $ |
| 6 000 | 0,71291 $ | 4 277,46 $ |
| 9 000 | 0,68625 $ | 6 176,25 $ |
| 15 000 | 0,65684 $ | 9 852,60 $ |











