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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQD50N10-8M9L_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQD50N10-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQD50N10-8M9L_GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQD50N10-8M9L_GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2950 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 136W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,9mohms à 15A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 6 130
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,10000 $ | 4,10 $ |
| 10 | 2,63500 $ | 26,35 $ |
| 100 | 1,80140 $ | 180,14 $ |
| 500 | 1,44472 $ | 722,36 $ |
| 1 000 | 1,33438 $ | 1 334,38 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 1,23363 $ | 2 467,26 $ |
| 4 000 | 1,15260 $ | 4 610,40 $ |
| 6 000 | 1,11133 $ | 6 667,98 $ |
| 10 000 | 1,09018 $ | 10 901,80 $ |
