SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

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SQ2389ES-T1_BE3

Vishay Siliconix

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SQ2389CES-T1_GE3

Vishay Siliconix

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Canal P 40 V 4,1 A (Tc) 3W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)

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SQ2389ES-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ2389ES-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ2389ES-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ2389ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ2389ES-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 4,1 A (Tc) 3W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 420 pF @ 20 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 3W (Tc)
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,1 A (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 94mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base SQ2389
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SQ2389ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	92 496	742-SQ2389ES-T1_BE3CT-ND	1,74000 $	Direct
SQ2389CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ2389CES-T1_GE3CT-ND	1,12000 $	Recommandation fabricant

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