
SISS94DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS94DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS94DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS94DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS94DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 7,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 75mohms à 5,4A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 21 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 350 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8S | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,13000 $ | 2,13 $ |
| 10 | 1,34400 $ | 13,44 $ |
| 100 | 0,89190 $ | 89,19 $ |
| 500 | 0,69786 $ | 348,93 $ |
| 1 000 | 0,63542 $ | 635,42 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,55610 $ | 1 668,30 $ |
| 6 000 | 0,51618 $ | 3 097,08 $ |
| 9 000 | 0,49585 $ | 4 462,65 $ |
| 15 000 | 0,49167 $ | 7 375,05 $ |











