
SISS94DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS94DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS94DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS94DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS94DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 350 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 75mohms à 5,4A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,36000 $ | 2,36 $ |
| 10 | 1,48600 $ | 14,86 $ |
| 100 | 0,98610 $ | 98,61 $ |
| 500 | 0,77158 $ | 385,79 $ |
| 1 000 | 0,70252 $ | 702,52 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,61483 $ | 1 844,49 $ |
| 6 000 | 0,57070 $ | 3 424,20 $ |
| 9 000 | 0,54822 $ | 4 933,98 $ |
| 15 000 | 0,52297 $ | 7 844,55 $ |
| 21 000 | 0,50803 $ | 10 668,63 $ |






