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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SISS52DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS52DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 47,1A (Ta), 162A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS52DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) +16V, -12V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2950 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 4,8W (Ta), 57W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SH |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2mohms à 20A, 10V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,80000 $ | 2,80 $ |
| 10 | 1,78000 $ | 17,80 $ |
| 100 | 1,19260 $ | 119,26 $ |
| 500 | 0,94040 $ | 470,20 $ |
| 1 000 | 0,85924 $ | 859,24 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,75620 $ | 2 268,60 $ |
| 6 000 | 0,70436 $ | 4 226,16 $ |
| 9 000 | 0,67796 $ | 6 101,64 $ |
| 15 000 | 0,64830 $ | 9 724,50 $ |
| 21 000 | 0,64779 $ | 13 603,59 $ |
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