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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SISS50DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS50DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS50DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS50DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 45 V 29,7A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) +20V, -16V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4000 pF @ 20 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,7W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 45 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,83mohms à 15A, 10V |
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Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
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Ressources supplémentaires
En stock: 905
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,63000 $ | 2,63 $ |
| 10 | 1,66300 $ | 16,63 $ |
| 100 | 1,10980 $ | 110,98 $ |
| 500 | 0,87254 $ | 436,27 $ |
| 1 000 | 0,79619 $ | 796,19 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,69924 $ | 2 097,72 $ |
| 6 000 | 0,65045 $ | 3 902,70 $ |
| 9 000 | 0,62560 $ | 5 630,40 $ |
| 15 000 | 0,59769 $ | 8 965,35 $ |
| 21 000 | 0,59100 $ | 12 411,00 $ |
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