
SISS32DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISS32DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS32DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS32DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS32DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 17,4A (Ta), 63A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1930 pF @ 40 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,7W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,2mohms à 10A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,40000 $ | 3,40 $ |
| 10 | 2,17300 $ | 21,73 $ |
| 100 | 1,47000 $ | 147,00 $ |
| 500 | 1,16904 $ | 584,52 $ |
| 1 000 | 1,07225 $ | 1 072,25 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,94943 $ | 2 848,29 $ |
| 6 000 | 0,88763 $ | 5 325,78 $ |
| 9 000 | 0,85615 $ | 7 705,35 $ |
| 15 000 | 0,84435 $ | 12 665,25 $ |











