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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SISS30DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SISS30DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS30DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS30DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS30DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 15,9A (Ta), 54,7A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1666 pF @ 10 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 4,8W (Ta), 57W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,25mohms à 10A, 10V |
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Documents et supports
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Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 12 057
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,90000 $ | 2,90 $ |
| 10 | 1,83700 $ | 18,37 $ |
| 100 | 1,23250 $ | 123,25 $ |
| 500 | 0,97320 $ | 486,60 $ |
| 1 000 | 0,88975 $ | 889,75 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,78381 $ | 2 351,43 $ |
| 6 000 | 0,73050 $ | 4 383,00 $ |
| 9 000 | 0,70335 $ | 6 330,15 $ |
| 15 000 | 0,67552 $ | 10 132,80 $ |
