
SISH536DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISH536DN-T1-GE3 |
Description | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 3,25mohms à 10A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Vgs (max.) +16V, -12V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1150 pF @ 15 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SH |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,69000 $ | 1,69 $ |
| 10 | 1,05800 $ | 10,58 $ |
| 100 | 0,69100 $ | 69,10 $ |
| 500 | 0,53314 $ | 266,57 $ |
| 1 000 | 0,48229 $ | 482,29 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,41766 $ | 1 252,98 $ |
| 6 000 | 0,38513 $ | 2 310,78 $ |
| 9 000 | 0,36855 $ | 3 316,95 $ |
| 15 000 | 0,34992 $ | 5 248,80 $ |
| 21 000 | 0,33889 $ | 7 116,69 $ |
| 30 000 | 0,32818 $ | 9 845,40 $ |






