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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SISH410DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SISH410DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISH410DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISH410DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISH410DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 22 A (Ta), 35 A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISH410DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 10 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 52W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SH |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,8mohms à 20A, 10V |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 5 529
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,65000 $ | 2,65 $ |
| 10 | 1,67900 $ | 16,79 $ |
| 100 | 1,12120 $ | 112,12 $ |
| 500 | 0,88178 $ | 440,89 $ |
| 1 000 | 0,80478 $ | 804,78 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,70699 $ | 2 120,97 $ |
| 6 000 | 0,65779 $ | 3 946,74 $ |
| 9 000 | 0,63273 $ | 5 694,57 $ |
| 15 000 | 0,60457 $ | 9 068,55 $ |
| 21 000 | 0,59870 $ | 12 572,70 $ |
